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IXFH 21N50Q
IXFT 21N50Q
35
30
Fig. 7. Input Adm ittance
40
35
Fig. 8. Transconductance
25
30
25
T J = -40oC
25oC
125oC
20
20
15
T J = 125oC
15
10
5
0
25oC
-40oC
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
60
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
50
40
30
20
T J = 125oC
8
7
6
5
4
3
I D = 10.5A
I G = 10mA
10
0
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - Volts
0.9
1
1.1
0
10
20
30 40 50 60
Q G - nanoCoulombs
70
80
90
10000
1000
100
10
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1.00
0.10
0.01
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
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